RT1A050ZPTR 场效应管(MOSFET)_深圳市百嘉顺实实业有限公司

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RT1A050ZPTR 场效应管(MOSFET)

型号/规格：

RT1A050ZPTR

品牌/商标：

ROHM（罗姆）

封装形式：

TSSP8

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

询价

产品信息

RT1A050ZPTR 场效应管(MOSFET) 600mW 12V 5A 1个P沟道

类型描述型号 RT1A050ZPTR zui低采购数量 1 品牌 Rohm Semiconductor 包装剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳 * 系列 - 零件状态在售 FET 类型 P 通道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 12 V 25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A（Ta）驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） 26 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值） 34 nC 4.5 V Vgs（zui大值） ?10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） 2800 pF 6 V FET 功能 - 功率耗散（zui大值） 600mW（Ta）工作温度 150?C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装 8-TSST 封装/外壳 8-SMD，扁平引线温度 150?C（TJ）RT1A050ZPTR 商品目录场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道漏源电压(Vdss) 12V 连续漏极电流(Id) 5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 26mΩ@4.5V,5A 功率(Pd) 1.25W 属性参数值阈值电压(Vgs(th)@Id) 300mV@1mA 栅极电荷(Qg@Vgs) 34nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds) 2.8nF 反向传输电容(Crss@Vds) 310pF 工作温度 -55℃~%2B150℃

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