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深圳市百嘉顺实实业有限公司

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RQ6P015SPTR ROHM SOT457
RQ6P015SPTR ROHM SOT457
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RQ6P015SPTR ROHM SOT457

型号/规格:

RQ6P015SPTR

品牌/商标:

ROHM(罗姆)

封装形式:

SOT-457

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

RQ6P015SPTR 产品概述 产品简介 RQ6P015SPTR 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,主要由日本 ROHM(罗姆)公司生产。它采用表面贴装型(SMD)封装,具有紧凑的 TSMT6(SC-95) 封装设计,适合各种电子设备的印刷电路板(PCB)上使用。该器件的主要特点包括低导通电阻、高工作温度范围和优良的电气性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。 关键参数 安装类型: 表面贴装型(SMD),便于自动化生产及空间节约。 导通电阻(Rds(on)): zui大值为 470 毫欧 @ 1.5A,10V。这一低导通电阻使得 RQ6P015SPTR 能够在低功耗情况下进行高效的电流传输,从而提升整体系统的能效。 连续漏极电流(Id): 额定 1.5A,在 25?C 的环境下表现出优异的导电性能,适合大多数流行的低压应用。 漏源电压(Vdss): zui高工作电压为 100V,满足大多数高压电源应用的需求,有助于增强电路的安全性和可靠性。 输入电容(Ciss): zui大值为 950pF @ 25V,这一适中的输入电容使得在高频操作下能够提供稳定的工作性能,优化开关速度。 栅极驱动电压(Vgs): 符合 4V 至 10V 的范围,确保在宽范围内的栅极输入条件下稳定工作。 栅极电荷(Qg): zui大值为 322nC @ 10V,反映出在开关操作时所需的栅极驱动能量,较低的栅极电荷意味着能实现更快的响应时间。 温度特性: 工作温度可达 150?C(TJ),适用环境广泛,能够满足高温场合的需求,进一步增强了其应用范围。 功率耗散: zui大功率耗散可达 600mW(Ta),在设计过程中需考虑此参数以确保整体系统的热管理。 阈值电压(Vgs(th)): zui大值 2.5V @ 1mA,反映了 MOSFET 的导通特性和开关特性,在设计电路时需考虑以保证准确的开关控制。 应用领域 RQ6P015SPTR 由于其卓越的性能,适用于多个领域,包括: 电源管理: 运用于开关电源、线性稳压器和 DC-DC 转换器中,提供稳定的电源输出。 电机驱动: 在小型电机和伺服电机控制应用中担当关键角色。 自动化设备: 可用于智能家电、工业自动化和各种机器人控制板上,以实现高性能的开关控制。
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