RZM002P02T2L 产品概述
一、基本介绍
RZM002P02T2L 是一款由罗姆（ROHM）公司制造的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），该产品采用 SOT-723 封装形式，意在为各种低功耗与小型化电子设备提供高效的电源开关解决方案。其zui大漏源电压为 20V，能够承载高达 200mA 的连续漏极电流，兼具较低的导通电阻和较高的工作温度，适合于多种工业与消费类电子应用。
二、he心参数
RZM002P02T2L ROHM的主要参数如下：
漏源电压（Vdss）：20V
连续漏极电流（Id）：200mA @ 25?C
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 100?A
漏源导通电阻（Rds On）：1.2Ω @ 200mA, 4.5V
zui大功率耗散（Ta=25?C）：150mW
工作温度范围：zui高可达 150?C
封装类型：SOT-723（VMT3）
三、性能特点
低导通电阻：在 200mA 电流下的导通电阻为 1.2Ω，这意味着在开关状态下有较低的功率损耗，提高了电源的整体效率。相对较低的 Rds On 值使得 RZM002P02T2L ROHM非常适合用于电源切换与电流控制。
广泛的栅源电压：该 MOSFET 的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 1V，意味着其能够在较低的电压下开启，简化控制电路的设计。此外，zui大 Vgs 为 ?10V，增加了在各种应用中工作的灵活性。
高温工作能力：RZM002P02T2L ROHM的工作温度可达 150?C，极大程度上扩展了其在高温环境下的应用范围，特别适合汽车电子、工业自动化以及高温处理设备。
紧凑的封装设计： SOT-723 封装使这款 MOSFET 在空间要求严格的电子设备中使用，如移动设备、便携式工具及传感器模块。
四、应用场景
RZM002P02T2L ROHM P 沟道 MOSFET 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理：在开关电源中作为开关元件，能够提供高效的电源转换。
负载切换：用于控制负载的开关，例如在LED驱动或电机控制电路中。
电池管理系统：在电池充电与放电过程中的开关控制，起到保护电池和延长电池寿命的作用。 信号切换：在数据通讯设备中进行信号的切换，稳定数据传输
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